IXTP80N075L2
Valmistajan tuotenumero:

IXTP80N075L2

Product Overview

Valmistaja:

IXYS

Osan numero:

IXTP80N075L2-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3

Varasto:

43 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12902839
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IXTP80N075L2 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Linear L2™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
75 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
24mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
357W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXTP80

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
50
Muut nimet
-IXTP80N075L2

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
IXTH80N075L2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
226
DiGi OSA NUMERO
IXTH80N075L2-DG
Yksikköhinta
4.29
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

ZXMP3A16N8TA

MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO

diodes

ZXMP7A17GTA

MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

diodes

DMP2023UFDF-13

MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN

fairchild-semiconductor

FQP11N40

MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3