Valmistajan tuotenumero:
IXTQ180N085T
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTQ180N085T-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 85V 180A TO3P
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 85 V 180A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P
Varasto:
12818888
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTQ180N085T Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
TrenchMV™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
85 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
180A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
430W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Perustuotenumero
IXTQ180
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXTQ180N10T
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXTQ180N10T-DG
Yksikköhinta
2.90
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFX34N80
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
IXTK8N150L
MOSFET N-CH 1500V 8A TO264
IXTQ170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
