Valmistajan tuotenumero:
IXTQ200N075T
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTQ200N075T-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 200A TO3P
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 75 V 200A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P
Varasto:
12819774
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTQ200N075T Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
75 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
200A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
430W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Perustuotenumero
IXTQ200
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFP3077PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1151
DiGi OSA NUMERO
IRFP3077PBF-DG
Yksikköhinta
2.76
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXTQ200N10T
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
14
DiGi OSA NUMERO
IXTQ200N10T-DG
Yksikköhinta
3.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTX5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
IXTY08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
IXFH26N50
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
