Valmistajan tuotenumero:
IXTQ64N25P
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTQ64N25P-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P
Varasto:
12820734
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTQ64N25P Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Polar
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
250 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
64A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
400W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Perustuotenumero
IXTQ64
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
Q2310188
IXTQ64N25P-NDR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STW52NK25Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
444
DiGi OSA NUMERO
STW52NK25Z-DG
Yksikköhinta
3.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRFP4768PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
2632
DiGi OSA NUMERO
IRFP4768PBF-DG
Yksikköhinta
3.59
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTA36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
IXFR25N90
MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
IXTU64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO251
