Valmistajan tuotenumero:
IXTY01N80
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTY01N80-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
12819098
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTY01N80 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
100mA (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
50Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
25W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IXTY01
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RFD3055LESM9A
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2171
DiGi OSA NUMERO
RFD3055LESM9A-DG
Yksikköhinta
0.23
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFP60N25X3
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
FMD80-0045PS
MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC
IXFP38N30X3
MOSFET N-CH 300V 38A TO220
