Valmistajan tuotenumero:
2N1711
Product Overview
Valmistaja:
Microchip Technology
Osan numero:
2N1711-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 50V 0.5A TO5
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
Varasto:
13256998
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2N1711 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
500 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
10nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Teho - Max
800 mW
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
-65°C ~ 200°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Toimittajan laitepaketti
TO-5AA
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
2N1711MS
Ympäristö- ja vientiluokitus
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
JAN2N3507U4
TRANS NPN 50V 1UA U4
2N6048
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
2N5092
NPN SILICON TRANSISTOR