Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
APL602B2G
Product Overview
Valmistaja:
Microchip Technology
Osan numero:
APL602B2G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 49A (Tc) 730W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
13257471
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
APL602B2G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
49A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
12V
Rds päällä (max) @ id, vgs
125mOhm @ 24.5A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
730W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
T-MAX™ [B2]
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3 Variant
Perustuotenumero
APL602
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
APL602(B2,L)
High-Voltage Power Discretes and Modules
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STW34NM60N
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
300
DiGi OSA NUMERO
STW34NM60N-DG
Yksikköhinta
5.32
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SPW35N60CFDFKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
486
DiGi OSA NUMERO
SPW35N60CFDFKSA1-DG
Yksikköhinta
5.80
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPW60R099CPFKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
228
DiGi OSA NUMERO
IPW60R099CPFKSA1-DG
Yksikköhinta
4.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPW60R125C6FKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
270
DiGi OSA NUMERO
IPW60R125C6FKSA1-DG
Yksikköhinta
2.62
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SPW32N50C3FKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
245
DiGi OSA NUMERO
SPW32N50C3FKSA1-DG
Yksikköhinta
4.28
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
APT30N60KC6
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
APTM100UM65SCAVG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APT5510JFLL
MOSFET N-CH 550V 44A ISOTOP
APTM120DA30T1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1