APT106N60B2C6
Valmistajan tuotenumero:

APT106N60B2C6

Product Overview

Valmistaja:

Microchip Technology

Osan numero:

APT106N60B2C6-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Varasto:

32 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13262818
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

APT106N60B2C6 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
106A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
35mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3.4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
308 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8390 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
833W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
T-MAX™ [B2]
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3 Variant
Perustuotenumero
APT106

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
30

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
microsemi

MSC750SMA120B

MOSFET N-CH 1200V TO247

microchip-technology

APT6021BFLLG

MOSFET N-CH 600V 29A TO247

microchip-technology

APT1001RSVRG

MOSFET N-CH 1000V 11A D3PAK

microsemi

APTM50UM25SG

MOSFET N-CH 500V 149A MODULE