APT30F50B
Valmistajan tuotenumero:

APT30F50B

Product Overview

Valmistaja:

Microchip Technology

Osan numero:

APT30F50B-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Varasto:

86 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13250175
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

APT30F50B Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
Tube
Sarja
POWER MOS 8™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
30A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4525 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
415W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247 [B]
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
APT30F50

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
APT30F50B/S High-Voltage Power Discretes and Modules

Lisätietoja

Vakio-paketti
30
Muut nimet
APT30F50BMP
APT30F50BMP-ND

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
microchip-technology

APT17F120J

MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP

microchip-technology

APT7F120B

MOSFET N-CH 1200V 7A TO247

microchip-technology

APT100F50J

MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP

microsemi

APTM120SK15G

MOSFET N-CH 1200V 60A SP6