Valmistajan tuotenumero:
APT4M120K
Product Overview
Valmistaja:
Microchip Technology
Osan numero:
APT4M120K-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 5A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Varasto:
13260991
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
APT4M120K Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1385 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
225W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220 [K]
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
APT4M120KMI
APT4M120KMI-ND
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFP3N120
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
5212
DiGi OSA NUMERO
IXFP3N120-DG
Yksikköhinta
4.03
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFP6N120P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
171
DiGi OSA NUMERO
IXFP6N120P-DG
Yksikköhinta
5.19
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRF610LPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRF610LPBF-DG
Yksikköhinta
0.72
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXTP3N120
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXTP3N120-DG
Yksikköhinta
4.06
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
APT5010JFLL
MOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP
APT44F80B2
MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
APTC90DAM60T1G
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
