Valmistajan tuotenumero:
TC6320K6-G
Product Overview
Valmistaja:
Microchip Technology
Osan numero:
TC6320K6-G-DG
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 200V Surface Mount 8-DFN (4x4)
Varasto:
5313 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12810685
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TC6320K6-G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
N and P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
-
Rds päällä (max) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Teho - Max
-
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
8-VDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
8-DFN (4x4)
Perustuotenumero
TC6320
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
PCN-kokoonpano/alkuperä
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,300
Muut nimet
TC6320K6-G-DG
TC6320K6-GCT
TC6320K6-GTR
TC6320K6-GDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
