Valmistajan tuotenumero:
TN0110N3-G-P002
Product Overview
Valmistaja:
Microchip Technology
Osan numero:
TN0110N3-G-P002-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Varasto:
1959 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12822740
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TN0110N3-G-P002 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
350mA (Tj)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-92-3
Pakkaus / Kotelo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Perustuotenumero
TN0110
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
TN0110N3-G-P002-DG
150-TN0110N3-G-P002DKR-DG
150-TN0110N3-G-P002TR
150-TN0110N3-G-P002DKR
150-TN0110N3-G-P002CT
150-TN0110N3-G-P002DKRINACTIVE
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRL2505STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
IRF3710ZGPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
IRLR2705PBF
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
