Valmistajan tuotenumero:
TN5325N3-G
Product Overview
Valmistaja:
Microchip Technology
Osan numero:
TN5325N3-G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 250 V 215mA (Ta) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Varasto:
1765 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12807498
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TN5325N3-G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
Bag
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
250 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
215mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
110 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
740mW (Ta)
Käyttölämpötila
-
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-92-3
Pakkaus / Kotelo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Perustuotenumero
TN5325
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SIPC46N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRLH5034TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
