Valmistajan tuotenumero:
APT17N80BC3G
Product Overview
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Osan numero:
APT17N80BC3G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Varasto:
13247758
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
APT17N80BC3G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microsemi
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
208W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
150-APT17N80BC3G
APT17N80BC3G-ND
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
APT5010LVRG
MOSFET N-CH 500V 47A TO264
APT8011JFLL
MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP
APT30M36LLLG
MOSFET N-CH 300V 84A TO264
