Valmistajan tuotenumero:
APT35SM70B
Product Overview
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Osan numero:
APT35SM70B-DG
Kuvaus:
SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3
Varasto:
13253326
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
APT35SM70B Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
700 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
35A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
20V
Rds päällä (max) @ id, vgs
145mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (enintään)
+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1035 pF @ 700 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
176W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
APT35SM70B-ND
150-APT35SM70B
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
APT10M07JVR
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
APTML100U60R020T1AG
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
APT66M60B2
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
