Valmistajan tuotenumero:
APT6040BNG
Product Overview
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Osan numero:
APT6040BNG-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
Varasto:
13248479
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
APT6040BNG Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microsemi
Paketti
-
Sarja
POWER MOS IV®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
18A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
400mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
310W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247AD
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
APT6040BNG-ND
150-APT6040BNG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
APT12057B2LLG
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
APT10035LLLG
MOSFET N-CH 1000V 28A TO264
APT10M11JVRU2
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
