Valmistajan tuotenumero:
APTC90DAM60CT1G
Product Overview
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Osan numero:
APTC90DAM60CT1G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Varasto:
13246847
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
APTC90DAM60CT1G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microsemi
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
900 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
59A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 6mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
462W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Toimittajan laitepaketti
SP1
Pakkaus / Kotelo
SP1
Lisätietoja
Vakio-paketti
100
Muut nimet
APTC90DAM60CT1G-ND
150-APTC90DAM60CT1G
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
APT10078BLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
APT12067JLL
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
APT8030JVFR
MOSFET N-CH 800V 25A ISOTOP