Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
BUK7Y12-55B,115
Product Overview
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Osan numero:
BUK7Y12-55B,115-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 55 V 61.8A (Tc) 105W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Varasto:
5922 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12828409
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BUK7Y12-55B,115 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Nexperia
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
TrenchMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
55 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
61.8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
35.2 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2067 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
105W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
LFPAK56, Power-SO8
Pakkaus / Kotelo
SC-100, SOT-669
Perustuotenumero
BUK7Y12
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
BUK7Y12-55B
Tietokortit
BUK7Y12-55B,115
HTML-tietolomake
BUK7Y12-55B,115-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,500
Muut nimet
934063307115
1727-4604-2
568-5514-6
568-5514-6-DG
1727-4604-1
568-5514-2-DG
568-5514-1-DG
5202-BUK7Y12-55B,115TR
568-5514-1
568-5514-2
1727-4604-6
BUK7Y1255B115
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AUIRFS8409
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
BUK9217-75B,118
MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
PMZ290UNYL
MOSFET DFN1006-3
BUK9620-100B,118
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK