Valmistajan tuotenumero:
PDTD123YQAZ
Product Overview
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Osan numero:
PDTD123YQAZ-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Varasto:
12828418
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
PDTD123YQAZ Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Nexperia
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
500 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
2.2 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
10 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
210 MHz
Teho - Max
325 mW
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
3-XDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
DFN1010D-3
Perustuotenumero
PDTD123
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
NEXNXPPDTD123YQAZ
2156-PDTD123YQAZ-NEX
5202-PDTD123YQAZTR
934069274147
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PDTC114ET,215
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
PDTA114EM,315
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
PDTC144EU,135
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323