Valmistajan tuotenumero:
PEMB1,115
Product Overview
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Osan numero:
PEMB1,115-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Varasto:
12831145
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
PEMB1,115 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Nexperia
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
22kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA
Taajuus - siirtyminen
-
Teho - Max
300mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
SOT-666
Perustuotenumero
PEMB1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
PEMB1 T/R-DG
PEMB1 T/R
2156-PEMB1,115-1727
934056869115
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RN2903FE(TE85L,F)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
3450
DiGi OSA NUMERO
RN2903FE(TE85L,F)-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
RN2908FE(TE85L,F)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
7
DiGi OSA NUMERO
RN2908FE(TE85L,F)-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PUMB13,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PIMH9,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSOP
PUMD48/ZLH
TRANS PREBIAS