Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
PEMB16,115
Product Overview
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Osan numero:
PEMB16,115-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12831815
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
PEMB16,115 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Nexperia
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
22kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA
Taajuus - siirtyminen
-
Teho - Max
300mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
SOT-666
Perustuotenumero
PEMB16
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
PEMB16,PUMB16
Tietokortit
PEMB16,115
HTML-tietolomake
PEMB16,115-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
NEXNXPPEMB16,115
934058912115
2156-PEMB16,115-NEX
PEMB16 T/R
PEMB16 T/R-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RN2903FE(TE85L,F)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
3450
DiGi OSA NUMERO
RN2903FE(TE85L,F)-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
RN2908FE(TE85L,F)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
7
DiGi OSA NUMERO
RN2908FE(TE85L,F)-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
NSBA124XDXV6T1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
NSBA124XDXV6T1G-DG
Yksikköhinta
0.05
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PIMD2,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
PUMB11,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PBLS4002Y,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMH4,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP