PMN230ENEAX

Valmistajan tuotenumero:

PMN230ENEAX

Product Overview

Valmistaja:

Nexperia USA Inc.

Osan numero:

PMN230ENEAX-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 625mW (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Varasto:

8988 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12831274

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

PMN230ENEAX Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Nexperia

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

222mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

3.8 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

110 pF @ 30 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

625mW (Ta), 5.4W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Aste

Automotive

Ehto

AEC-Q101

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

6-TSOP

Pakkaus / Kotelo

SC-74, SOT-457

Perustuotenumero

PMN230

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

5202-PMN230ENEAXTR

1727-8649-6

1727-8649-1

1727-8649-2

934069659115

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

nexperia

BUK7210-55B,118

MOSFET N-CH 55V 75A DPAK

nexperia

BUK9675-55A,118

MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK

nexperia

PSMN7R0-100PS,127

MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

nexperia

PSMN016-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK