Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
PMV65XP,215
Product Overview
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Osan numero:
PMV65XP,215-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Varasto:
276273 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12828547
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
PMV65XP,215 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Nexperia
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
744 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
480mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-236AB
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Perustuotenumero
PMV65
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
PMV65XP
Tietokortit
PMV65XP,215
HTML-tietolomake
PMV65XP,215-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
568-2358-1-DG
568-2358-2
568-2358-1
568-2358-2-DG
PMV65XP215
934058736215
568-2358-6-DG
PMV65XP T/R
1727-3124-2
1727-3124-1
568-2358-6
5202-PMV65XP,215TR
1727-3124-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSH205G2VL
MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB
PMN28UNEX
MOSFET N-CH 20V 5.5A 6TSOP
BUK7227-100B,118
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
PMG85XPH
MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP