Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Kongon demokraattinen tasavalta
Argentiina
Turkki
Romania
Liettua
Norja
Itävalta
Angola
Slovakia
Ltaly
Suomi
Valko-Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Montenegro
Venäjä
Belgia
Ruotsi
Serbia
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Moldova
Saksa
Alankomaat
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Ranska
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Portugali
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanja
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
PQMD10Z
Product Overview
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Osan numero:
PQMD10Z-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
Varasto:
5000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12828284
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
PQMD10Z Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Nexperia
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
2.2kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA
Taajuus - siirtyminen
230MHz, 180MHz
Teho - Max
230mW
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-XFDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
DFN1010B-6
Perustuotenumero
PQMD10
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
PQMD10
Tietokortit
PQMD10Z
HTML-tietolomake
PQMD10Z-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
1727-2709-1
568-13230-6-DG
1727-2709-2
934069747147
568-13230-2-DG
PQMD10Z-DG
568-13230-1-DG
2156-PQMD10Z-NEX
568-13230-2
5202-PQMD10ZTR
1727-2709-6
568-13230-1
NEXNEXPQMD10Z
568-13230-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PUMD16/ZLX
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PEMB11,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
PQMH10Z
TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
PUMH10Z
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP