Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
PSMN3R0-60ES,127
Product Overview
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Osan numero:
PSMN3R0-60ES,127-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12830726
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
PSMN3R0-60ES,127 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Nexperia
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
100A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8079 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
306W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
PSMN3R0-60ES
Tietokortit
PSMN3R0-60ES,127
HTML-tietolomake
PSMN3R0-60ES,127-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
2156-PSMN3R0-60ES,127-1727
568-6906-5-DG
PSMN3R060ES127
1727-5437
568-6906-5
934064562127
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDI030N06
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
FDI030N06-DG
Yksikköhinta
2.27
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRFSL3306PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRFSL3306PBF-DG
Yksikköhinta
1.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPI029N06NAKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
61
DiGi OSA NUMERO
IPI029N06NAKSA1-DG
Yksikköhinta
0.88
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRFSL3206PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1600
DiGi OSA NUMERO
IRFSL3206PBF-DG
Yksikköhinta
1.22
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PSMN7R0-100ES,127
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
BUK7E2R6-60E,127
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
BSR302NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
PSMN4R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56