Valmistajan tuotenumero:
NTE2386
Product Overview
Valmistaja:
NTE Electronics, Inc
Osan numero:
NTE2386-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-3
Varasto:
180 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12925061
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTE2386 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
NTE Electronics, Inc.
Paketti
Bag
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3
Pakkaus / Kotelo
TO-204AA, TO-3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
2368-NTE2386
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
JANTXV2N6788U
MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
HUF75337S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDB3860
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
