Valmistajan tuotenumero:
NTE2367
Product Overview
Valmistaja:
NTE Electronics, Inc
Osan numero:
NTE2367-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92S
Varasto:
1889 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12925228
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
NTE2367 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Paketti
Bag
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
4.7 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
4.7 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250 MHz
Teho - Max
300 mW
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Toimittajan laitepaketti
TO-92S
Perustuotenumero
NTE23
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
2368-NTE2367
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
REACH-tilanne
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
