Valmistajan tuotenumero:
TIP147
Product Overview
Valmistaja:
NTE Electronics, Inc
Osan numero:
TIP147-DG
Kuvaus:
TRANS PNP 100V 10A TO218
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 10 A 125 W Through Hole TO-218
Varasto:
283 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12922862
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TIP147 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Paketti
Bag
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
PNP
Virta - kollektori (ic) (enintään)
10 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
100 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
-
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Teho - Max
125 W
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-218-3
Toimittajan laitepaketti
TO-218
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
2368-TIP147
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
