Valmistajan tuotenumero:
TIP35C
Product Overview
Valmistaja:
NTE Electronics, Inc
Osan numero:
TIP35C-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 100V 25A TO218
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Varasto:
90 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12922566
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TIP35C Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Paketti
Bag
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
25 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
100 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
-
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 15A, 4V
Teho - Max
125 W
Taajuus - siirtyminen
3MHz
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-218-3
Toimittajan laitepaketti
TO-218
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
2368-TIP35C
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
REACH-tilanne
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTE253MCP
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
BC639_J35Z
TRANS NPN 80V 1A TO92-3
NTE105
TRANS PNP 40V TO36
