Valmistajan tuotenumero:
BUJ303B,127
Product Overview
Valmistaja:
NXP USA Inc.
Osan numero:
BUJ303B,127-DG
Kuvaus:
NOW WEEN - BUJ303B - POWER BIPOL
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 5 A 100 W Through Hole TO-220AB
Varasto:
5278 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12946360
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
21lm
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BUJ303B,127 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
NXP Semiconductors
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
5 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
400 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1.5V @ 1A, 3A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100µA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
23 @ 800mA, 3V
Teho - Max
100 W
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
859
Muut nimet
2156-BUJ303B,127
WENNXPBUJ303B,127
Ympäristö- ja vientiluokitus
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSP31,115
NOW NEXPERIA BSP31 - POWER BIPOL
2PB709ART,215
NOW NEXPERIA 2PB709ART - SMALL S
2SA673B-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,