Valmistajan tuotenumero:
PBLS2002S,115
Product Overview
Valmistaja:
NXP USA Inc.
Osan numero:
PBLS2002S,115-DG
Kuvaus:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO
Varasto:
12811062
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
PBLS2002S,115 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
NXP Semiconductors
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA, 3A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V, 20V
Vastus - pohja (R1)
4.7kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
4.7kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA, 100nA
Taajuus - siirtyminen
100MHz
Teho - Max
1.5W
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SO
Perustuotenumero
PBLS20
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
568-7229-6
NEXNXPPBLS2002S,115
PBLS2002S115
934060278115
PBLS2002S T/R
2156-PBLS2002S115
PBLS2002S,115-DG
568-7229-1
568-7229-2
PBLS2002S T/R-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PBLS2022D,115
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
20
DiGi OSA NUMERO
PBLS2022D,115-DG
Yksikköhinta
0.11
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PBLS1502V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
PBLS2003S,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
PBLS4001V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666