Valmistajan tuotenumero:
2N6517G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
2N6517G-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Varasto:
12833199
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2N6517G Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
500 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
350 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1V @ 5mA, 50mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
50nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Teho - Max
625 mW
Taajuus - siirtyminen
200MHz
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Toimittajan laitepaketti
TO-92 (TO-226)
Perustuotenumero
2N6517
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
2N6517GOS
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Vaihtoehtoiset mallit
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BC817-40LT1
TRANS NPN 45V 500MA SOT23
BC635_J35Z
TRANS NPN 45V 1A TO92-3
BC556CBU
TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3