Valmistajan tuotenumero:
2SB1216S-E
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
2SB1216S-E-DG
Kuvaus:
TRANS PNP 100V 4A TP
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Varasto:
12835690
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SB1216S-E Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
PNP
Virta - kollektori (ic) (enintään)
4 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
100 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
500mV @ 200mA, 2A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Teho - Max
1 W
Taajuus - siirtyminen
130MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Toimittajan laitepaketti
TP
Perustuotenumero
2SB1216
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
2156-2SB1216S-E
ONSONS2SB1216S-E
1990-2SB1216S-E
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SA2186-AN
TRANS PNP 50V 2A 3NMP
2SC6096-TD-H
TRANS NPN 100V 2A PCP
2SA1768T-AN
TRANS PNP 160V 0.7A 3NMP
