Valmistajan tuotenumero:
2SC3117S
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
2SC3117S-DG
Kuvaus:
TRANSISTOR
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 120MHz 1 W Through Hole TO-126
Varasto:
6365 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12930779
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SC3117S Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
1.5 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
160 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
450mV @ 50mA, 500mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Teho - Max
1 W
Taajuus - siirtyminen
120MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Aste
-
Ehto
-
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-225AA, TO-126-3
Toimittajan laitepaketti
TO-126
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,268
Muut nimet
2156-2SC3117S
ONSONS2SC3117S
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
MBT2222ADW1T
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2N1893
TRANS NPN 80V 0.5A TO5
2SC3151M
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
