Valmistajan tuotenumero:
2SC6017-E
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
2SC6017-E-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 50V 10A TP
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 10 A 200MHz 950 mW Through Hole TP
Varasto:
960 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12913496
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SC6017-E Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
10 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
360mV @ 250mA, 5A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
10µA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Teho - Max
950 mW
Taajuus - siirtyminen
200MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Toimittajan laitepaketti
TP
Perustuotenumero
2SC6017
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
2SC6017-EOS
2SC6017-E-DG
2156-2SC6017-E
ONSONS2SC6017-E
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PHPT60410NYX
VALMISTAJA
NXP Semiconductors
Saatavilla oleva määrä
76484
DiGi OSA NUMERO
PHPT60410NYX-DG
Yksikköhinta
0.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
