Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
2SD1816T-E
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
2SD1816T-E-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 100V 4A TP
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Through Hole TP
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12833507
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SD1816T-E Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
4 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
100 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
400mV @ 200mA, 2A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Teho - Max
1 W
Taajuus - siirtyminen
180MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Toimittajan laitepaketti
TP
Perustuotenumero
2SD1816
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
2SD1816T-E
HTML-tietolomake
2SD1816T-E-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
2SD1816T-EOS
2SD1816T-E-DG
2156-2SD1816T-E-ON
ONSONS2SD1816T-E
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
2SD1816T-TL-E
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
17
DiGi OSA NUMERO
2SD1816T-TL-E-DG
Yksikköhinta
0.80
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2N5680
TRANS PNP 120V 1A TO39
2N4126TFR
TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3
BC33840BU
TRANS NPN 25V 0.8A TO92-3
2SC5242RTU
TRANS NPN 250V 17A TO3P