Valmistajan tuotenumero:

EFC3J018NUZTDG

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

EFC3J018NUZTDG-DG

Kuvaus:

MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP

Yksityiskohtainen kuvaus:

Mosfet Array 20V 23A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1.77x3.05)

Varasto:

3146 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12839406

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

EFC3J018NUZTDG Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguraatio

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-ominaisuus

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

23A (Ta)

Rds päällä (max) @ id, vgs

4.7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

-

Teho - Max

2.5W (Ta)

Käyttölämpötila

150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Pakkaus / Kotelo

6-XFBGA, WLCSP

Toimittajan laitepaketti

6-WLCSP (1.77x3.05)

Perustuotenumero

EFC3J018

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

EFC3J018NUZTDG-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

5,000

Muut nimet

EFC3J018NUZTDG-DG

488-EFC3J018NUZTDGDKR

ONSONSEFC3J018NUZTDG

488-EFC3J018NUZTDGTR

2156-EFC3J018NUZTDG-OS

488-EFC3J018NUZTDGCT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

Not Applicable

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

BSO200N03

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

onsemi

FDMS7620S

MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56

onsemi

FDS8935

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

onsemi

EFC4618R-P-TR

MOSFET 2N-CH EFCP1818