Valmistajan tuotenumero:
EMF5XV6T1G
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
EMF5XV6T1G-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 357mW Surface Mount SOT-563
Varasto:
12986570
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
EMF5XV6T1G Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
EMF
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA, 500mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V, 12V
Vastus - pohja (R1)
47kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA, 100nA (ICBO)
Taajuus - siirtyminen
-
Teho - Max
357mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
SOT-563
Perustuotenumero
EMF5XV
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
488-EMF5XV6T1GTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
