Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FCH25N60N
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FCH25N60N-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12838792
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FCH25N60N Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
SupreMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
25A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
216W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
FCH25N60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FCH25N60N
Tietokortit
FCH25N60N
HTML-tietolomake
FCH25N60N-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
FCH25N60NOS
2156-FCH25N60N-488
FCH25N60N-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPW60R099CPAFKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
196
DiGi OSA NUMERO
IPW60R099CPAFKSA1-DG
Yksikköhinta
4.16
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SIHG33N65E-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
SIHG33N65E-GE3-DG
Yksikköhinta
3.91
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SCT3080ALGC11
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1587
DiGi OSA NUMERO
SCT3080ALGC11-DG
Yksikköhinta
6.38
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXKH35N60C5
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
117
DiGi OSA NUMERO
IXKH35N60C5-DG
Yksikköhinta
6.79
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFH34N65X2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
89
DiGi OSA NUMERO
IXFH34N65X2-DG
Yksikköhinta
4.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDMC8010
MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
FQL40N50F
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
FQU7P06TU
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
FQB70N10TM_AM002
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK