Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FCP125N65S3R0
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FCP125N65S3R0-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
800 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12846058
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FCP125N65S3R0 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
SuperFET® III
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1940 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
181W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FCP125
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FCP125N65S3R0
Tietokortit
FCP125N65S3R0
HTML-tietolomake
FCP125N65S3R0-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
FCP125N65S3R0OS
FCP125N65S3R0-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPP60R099C7XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPP60R099C7XKSA1-DG
Yksikköhinta
2.11
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPP60R125P6XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPP60R125P6XKSA1-DG
Yksikköhinta
2.16
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP30N65M5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
5189
DiGi OSA NUMERO
STP30N65M5-DG
Yksikköhinta
3.17
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP40N65M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
37
DiGi OSA NUMERO
STP40N65M2-DG
Yksikköhinta
2.57
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TK25E60X,S1X
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
13
DiGi OSA NUMERO
TK25E60X,S1X-DG
Yksikköhinta
1.80
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AOK27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
AOT424
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
NTMFS4837NHT1G
MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
AOL1242
MOSFET N-CH 40V 14A/69A ULTRASO8