FDA032N08

Valmistajan tuotenumero:

FDA032N08

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDA032N08-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 75 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN

Varasto:

298 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12838304

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDA032N08 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tube

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

75 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

120A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

3.2mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

220 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

15160 pF @ 25 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

375W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Toimittajan laitepaketti

TO-3PN

Pakkaus / Kotelo

TO-3P-3, SC-65-3

Perustuotenumero

FDA032

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

30

Muut nimet

ONSONSFDA032N08

2156-FDA032N08-OS

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

Not Applicable

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FQB11P06TM

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

onsemi

FQAF10N80

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF

onsemi

FQB34P10TM-F085

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

onsemi

FDMS86183

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN