Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDB088N08
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDB088N08-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
330 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12849989
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDB088N08 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
75 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6595 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
160W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
FDB088
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FDB088N08
Tietokortit
FDB088N08
HTML-tietolomake
FDB088N08-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Muut nimet
FDB088N08CT
FDB088N08TR
FDB088N08DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PSMN012-80BS,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
5050
DiGi OSA NUMERO
PSMN012-80BS,118-DG
Yksikköhinta
0.67
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PSMN8R7-80BS,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
5398
DiGi OSA NUMERO
PSMN8R7-80BS,118-DG
Yksikköhinta
0.70
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STB75NF75T4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
967
DiGi OSA NUMERO
STB75NF75T4-DG
Yksikköhinta
1.22
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PSMN005-75B,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
4338
DiGi OSA NUMERO
PSMN005-75B,118-DG
Yksikköhinta
1.18
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PSMN008-75B,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
5795
DiGi OSA NUMERO
PSMN008-75B,118-DG
Yksikköhinta
0.80
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AOTF380A60L
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AON7242
MOSFET N-CH 40V 30A/50A 8DFN
AOI4185
MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
FQP10N60C
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3