Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDB8874
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDB8874-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 121A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12850696
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDB8874 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
21A (Ta), 121A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3130 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
110W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
FDB887
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
FDB8874
HTML-tietolomake
FDB8874-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRL3803STRLPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
2825
DiGi OSA NUMERO
IRL3803STRLPBF-DG
Yksikköhinta
0.95
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STB80NF03L-04T4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
691
DiGi OSA NUMERO
STB80NF03L-04T4-DG
Yksikköhinta
1.90
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PSMN4R3-30BL,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
9945
DiGi OSA NUMERO
PSMN4R3-30BL,118-DG
Yksikköhinta
0.58
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PSMN017-30BL,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
1868
DiGi OSA NUMERO
PSMN017-30BL,118-DG
Yksikköhinta
0.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AOT284L
MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220
FQP17N08
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
HUFA75332S3S
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
FDD8782
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA