Valmistajan tuotenumero:
FDB9503L-F085
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDB9503L-F085-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 40 V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
12930518
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDB9503L-F085 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
110A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8320 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
333W (Tj)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
FDB9503
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Muut nimet
488-FDB9503L-F085CT
488-FDB9503L-F085TR
488-FDB9503L-F085DKR
FDB9503L-F085INACTIVE
FDB9503L-F085-DG
FDB9503L_F085-DG
FDB9503L_F085
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
NVMFS2D3P04M8LT1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
95
DiGi OSA NUMERO
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
Yksikköhinta
1.45
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AON7466
MOSFET N-CH 30V 15A/30A 8DFN
FDS86267P
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
FQAF33N10L
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
