Valmistajan tuotenumero:

FDC365P

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDC365P-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 35 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12849676

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDC365P Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

-

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

35 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

4.3A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

55mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

705 pF @ 20 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

1.6W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SuperSOT™-6

Pakkaus / Kotelo

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Perustuotenumero

FDC365

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FDC365PTR

2156-FDC365P-OS

ONSFDC365P

FDC365PCT

2832-FDC365PTR

FDC365PDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FDWS5360L-F085

MOSFET N-CH 60V 60A POWER56

AO4306

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

infineon-technologies

IPW60R105CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO7414

MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3