Valmistajan tuotenumero:

FDC654P

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDC654P-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Varasto:

10965 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12851278

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDC654P Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

3.6A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

75mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

9 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

298 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

1.6W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SuperSOT™-6

Pakkaus / Kotelo

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Perustuotenumero

FDC654

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FDC654PCT

FDC654P-DG

FDC654PTR

FDC654PDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

rohm-semi

R6511ENJTL

MOSFET N-CH 650V 11A LPTS

infineon-technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1

MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8

onsemi

FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDD16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK