Valmistajan tuotenumero:
FDC8602
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDC8602-DG
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT™-6
Varasto:
16909 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12838654
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDC8602 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
-
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.2A
Rds päällä (max) @ id, vgs
350mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
70pF @ 50V
Teho - Max
690mW
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Toimittajan laitepaketti
SuperSOT™-6
Perustuotenumero
FDC8602
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
FDC8602CT
FDC8602TR
2156-FDC8602-488
FDC8602DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
EFC6604R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
FDR8305N
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8
FDC6310P
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
