Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDC8884
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDC8884-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Varasto:
1 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12839002
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDC8884 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.5A (Ta), 8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
23mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
465 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.6W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SuperSOT™-6
Pakkaus / Kotelo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Perustuotenumero
FDC8884
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FDC8884
Tietokortit
FDC8884
HTML-tietolomake
FDC8884-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
FDC8884DKR
FDC8884CT
FDC8884-DG
FDC8884TR
2832-FDC8884TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDC8886
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
142596
DiGi OSA NUMERO
FDC8886-DG
Yksikköhinta
0.18
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
SI3424CDV-T1-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
4242
DiGi OSA NUMERO
SI3424CDV-T1-GE3-DG
Yksikköhinta
0.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
DMN3026LVT-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
8316
DiGi OSA NUMERO
DMN3026LVT-7-DG
Yksikköhinta
0.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SQ3410EV-T1_GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
SQ3410EV-T1_GE3-DG
Yksikköhinta
0.22
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STT6N3LLH6
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
16452
DiGi OSA NUMERO
STT6N3LLH6-DG
Yksikköhinta
0.19
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDP150N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
HUF76629D3ST
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
FQAF11N40
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC