Valmistajan tuotenumero:
FDD2512
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDD2512-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 150 V 6.7A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
12847226
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
r7Cz
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDD2512 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
420mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
344 pF @ 75 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
42W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
FDD251
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTMFS4701NT1G
MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN
HUFA76413D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FDPF190N15A
MOSFET N-CH 150V 27.4A TO220F
