FDD5353

Valmistajan tuotenumero:

FDD5353

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDD5353-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 11.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Varasto:

9054 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12838010

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDD5353 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

11.5A (Ta), 50A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

12.3mOhm @ 10.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

65 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

3215 pF @ 30 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

3.1W (Ta), 69W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

TO-252AA

Pakkaus / Kotelo

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Perustuotenumero

FDD535

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,500

Muut nimet

FDD5353CT

FDD5353TR

2156-FDD5353TR

FDD5353DKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

BSO040N03MSGXUMA1

MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO

onsemi

FQD1N60TF

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

onsemi

FQPF9N08

MOSFET N-CH 80V 7A TO220F

onsemi

FQA24N60

MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN